Драйвер м2тки
Драйверы новые . М2ТКИ-75-12КЧ, 1200, 75, 150, 2.25, 10.5, 7.0, 0.38, 175, 4000. М2ТКИ-100-12КЧ Драйвер ДЖИЦ.301411.125 для двухключевых igbt модулей в корпусах 140×130 мм Области применения Предназначен для управления двухключевыми IGBT модулями на ток от 400 до 1200 А и на напряжение М2ТБ-400, ТУ16-2003 ИЕАЛ.435700.011ТУ, М2ТКИ-400-12. М2ТКИ-600-12. М2ТКИ-800-12, ТУ16-03 ИЕАЛ 435700.008 ТУ, МТКИ2-200-17. МТКИ2-300-17. 1 М2ТКИ7512КЧ / МДТКИ7512КЧ / МТКИД7512КЧ О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Fast Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения низкие суммарные динамические потери частоты. полумост; встроенные быстродействующие диоды обратного тока; корпус с изолированным основанием; диагностические выводы коллектора для. 1 М2ТКИ СИЛОВОЙ igbt МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока. Наименование параметра, Условное обозначение, Значение параметра, Единица измерения. Напряжение коллектор-эмиттер Зная общее сопротивление ограничивающего резистора RB общB, можно найти импульсный ток протекания через драйвер: IB maxB = ΔU/RB общB. СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии. Типономинал модуля. Рекомендуемый драйвер. Максимальный импульсный ток драйвера. 15 РАЗМЕРЫ М2ТКИ МДТКИ МДТКИ МТКИ MI6 w = 1500 г. ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ21-10-17-2ОП1К-1 Драйвер. 3. Блок гальванической развязки входных сигналов и сигналов, поступающих на микропроцессор. Рисунок 2.1 – Схема модуля МТКИ, Рисунок 2.2 – Схема модуля М2ТКИ, Рисунок 2.3 – Схема модуля М4ТКИ. М6ТКИ. Рисунок 2.4 – Схема модуля. Сигнал с датчика освещенности (фоторезистора СФ2-1) снимаем по такой схеме: Далее сигнал поступает на делительный мост из резисторов, формирующий нужный уровень сигнала, подаваемый на схему. Package. Схема. Circuit. ПОЛУМОСТЫ. HALF BRIDGES. Корпус 34х94 мм. М2ТКИ-25-12. 1200. 25. 50. 2.5. 0.14. 0.42. 0.05. 0.6. 150. 2500. М2ТКИ2-50-12. Драйвер ДРИ21-10-12-1ОМ1К-1 двухканальный, габаритные размеры 100х90х19мм, амплитуда выходного тока: отпирающего до 5 А, запирающего до 10 А. Напряжение изоляции 1000 В эфф. Уровень ограничения напряжения на коллекторе Полумост — серия М2ТКИ (рис. 3). 3. Верхний чоппер 1)Правильно рассчитать и выбрать драйвер мендуется применять драйверы на основе. Модули на токи до 600 А реализуются с включённым в структуру драйвером, свыше 600 А- драйвер поставляется отдельно. Оптовые цены (июнь 2000 г.) на силовые модули составляют от 1,5 до 9,0 тыс. руб./шт. Партия изделий в среднем. Полумосты М2ТКИ: 1200 В, 50, 75, 100, 150, 200A. Шестиключевой мост МТКИ-100-12: 1200 В, 100 A. Прочие характеристики модулей (собственно для IGBT): U CES = 2,1-2,2 B, R h; =0,05-0,23 °С/Вт, t d off = 500-800.